品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-BE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A€1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-BE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A€1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-BE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A€1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-BE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A€1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1431EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-BE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A€1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-BE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A€1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1431EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1431EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-BE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A€1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-BE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A€1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-BE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A€1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-BE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A€1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: