品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540STRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS54DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@15V
连续漏极电流:51.1A€185.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.06Ω@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2954pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP140PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP21N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1388pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP140PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540STRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP140PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1388pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI540GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2954pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: