品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:2.8A€4.1A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:2.8A€4.1A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:2.8A€4.1A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:2.8A€4.1A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:2.8A€4.1A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:2.8A€4.1A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:2.8A€4.1A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:2.8A€4.1A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: