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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJH800E-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10230pF@40V
连续漏极电流：29A€299A
类型：N沟道
导通电阻：1.55mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40081EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SQD40081EL_GE3
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功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
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漏源电压：40V
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功率：3.3W€333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
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输入电容：10230pF@40V
连续漏极电流：29A€299A
类型：N沟道
导通电阻：1.55mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：10230pF@40V
连续漏极电流：29A€299A
类型：N沟道
导通电阻：1.55mΩ@20A，10V
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功率：71W
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输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：10230pF@40V
连续漏极电流：29A€299A
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导通电阻：1.55mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：SQD40081EL_GE3
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功率：71W
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栅极电荷：210nC@10V
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输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIJH800E-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10230pF@40V
连续漏极电流：29A€299A
类型：N沟道
导通电阻：1.55mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SQD40081EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIJH800E-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10230pF@40V
连续漏极电流：29A€299A
类型：N沟道
导通电阻：1.55mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIJH800E-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10230pF@40V
连续漏极电流：29A€299A
类型：N沟道
导通电阻：1.55mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：SQD40081EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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功率：71W
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栅极电荷：210nC@10V
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输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
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功率：3.3W€333W
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栅极电荷：210nC@10V
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输入电容：10230pF@40V
连续漏极电流：29A€299A
类型：N沟道
导通电阻：1.55mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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功率：71W
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类型：P沟道
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功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
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输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：10230pF@40V
连续漏极电流：29A€299A
类型：N沟道
导通电阻：1.55mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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栅极电荷：210nC@10V
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输入电容：10230pF@40V
连续漏极电流：29A€299A
类型：N沟道
导通电阻：1.55mΩ@20A，10V
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输入电容：10230pF@40V
连续漏极电流：29A€299A
类型：N沟道
导通电阻：1.55mΩ@20A，10V
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
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