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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFR220TRL-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：4.8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA76EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA76EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA76EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA76EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFR220TRL-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：4.8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA76EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA76EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFR220TRL-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：4.8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA76EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA76EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA76EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：5W（Ta），38W（Tc）
阈值电压：2.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470 pF @ 15 V
连续漏极电流：27A（Ta），60A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：5W（Ta），38W（Tc）
阈值电压：2.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470 pF @ 15 V
连续漏极电流：27A（Ta），60A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3
栅极电荷：32 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：27A（Ta），60A（Tc）
输入电容：1470 pF @ 15 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 10A，10V
功率：5W（Ta），38W（Tc）
阈值电压：2.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
栅极电荷：36nC@10V
阈值电压：3.6V@250µA
输入电容：1520pF@40V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF-BE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350 pF @ 25 V
连续漏极电流：2A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.4 欧姆 @ 1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA470EEJ-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：13.6W（Tc）
阈值电压：1.6V @ 250µA
栅极电荷：5.2 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453 pF @ 20 V
连续漏极电流：2.25A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：56 毫欧 @ 2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA442EJ-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：13.6W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：9.7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：636 pF @ 25 V
连续漏极电流：9A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：32 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：104W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：38 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410 pF @ 75 V
连续漏极电流：60A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：11.5 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-E3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.25W（Ta），1.66W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：9.6 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350 pF @ 15 V
连续漏极电流：4.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA442EJ-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：13.6W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：9.7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：636 pF @ 25 V
连续漏极电流：9A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：32 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2334
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：104W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130 pF @ 30 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2334
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：104W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130 pF @ 30 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA04DN-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.7W（Ta），52W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595 pF @ 15 V
连续漏极电流：30.9A（Ta），40A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.15 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA04DN-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.7W（Ta），52W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595 pF @ 15 V
连续漏极电流：30.9A（Ta），40A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.15 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2334
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：104W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130 pF @ 30 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
