品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG90090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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类型:N沟道
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
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功率:395W
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
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功率:500W
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
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规格型号(MPN):SUG90090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):SUG90090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):SUG90090E-GE3
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG90090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
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包装方式:管件
输入电容:5220pF@100V
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类型:N沟道
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG90090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:5220pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG90090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:129nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5220pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: