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    漏源电压
    30V
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    品牌: VISHAY
    行业应用: 工业
    漏源电压: 30V
    类型: P沟道
    当前匹配商品:2300+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7139DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7139DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7139DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:P沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:4.2A€5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369BDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369BDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@15V

    连续漏极电流:5.6A€7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435FDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435FDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4435FDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订75000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订75000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQP50P03-07_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQP50P03-07_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQP50P03-07_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5380pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA449DJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA449DJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:25.9A€94A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:25.9A€94A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA449DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA449DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@16.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483DDV-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483DDV-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:6.4A€8A

    类型:P沟道

    导通电阻:31.2mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH625DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH625DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH625DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4427pF@15V

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483DDV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483DDV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:6.4A€8A

    类型:P沟道

    导通电阻:31.2mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483BEEY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483BEEY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4483BEEY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435DDY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435DDY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:11.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@9.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4431EY-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4431EY-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4431EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1265pF@15V

    连续漏极电流:10.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQP50P03-07_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQP50P03-07_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQP50P03-07_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5380pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH101DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH101DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH101DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:16.9A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435DDY-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435DDY-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:11.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@9.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA471DJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA471DJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA471DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:27.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF@15V

    连续漏极电流:12.9A€30.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1006pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:147nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4590pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2371EDS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2371EDS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:5.4A€7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:5.4A€7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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