品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7139DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:29A
类型:P沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:4.2A€5.9A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@15V
连续漏极电流:5.6A€7.5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQP50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5380pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.2W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@16.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH625DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4427pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4483BEEY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:11.4A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@9.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4431EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQP50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5380pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH101DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:16.9A€35A
类型:P沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:11.4A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@9.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA471DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:27.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@15V
连续漏极电流:12.9A€30.3A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1006pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:5.4A€7.6A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:5.4A€7.6A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: