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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4920EY-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4920EY-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4920EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1465pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14.5mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ346DT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ346DT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ346DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W€16.7W

    阈值电压:2.2V@250µA€2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V€650pF@15V

    连续漏极电流:17A€30A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4920EY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4920EY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4920EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1465pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14.5mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4920EY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4920EY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4920EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1465pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14.5mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340BDT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340BDT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ340BDT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€16.7W€4.2W€31W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@15V€1065pF@15V

    连续漏极电流:16.9A€36A€25.3A€69.3A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5922DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ342DT-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ342DT-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ342DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€4.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:15.7A€100A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7998DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7998DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7998DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7998DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5922DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ346DT-T1-GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ346DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W€16.7W

    阈值电压:2.2V@250µA€2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V€650pF@15V

    连续漏极电流:17A€30A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7998DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7998DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ910AEP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ910AEP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1869pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ342DT-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ342DT-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ342DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€4.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:15.7A€100A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4922BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4920EY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4920EY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4920EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1465pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14.5mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7212DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5936DU-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5936DU-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5936DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ346DT-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ346DT-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ346DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W€16.7W

    阈值电压:2.2V@250µA€2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V€650pF@15V

    连续漏极电流:17A€30A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ988DT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ988DT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ988DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20.2W€40W

    阈值电压:2.4V@250µA€2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V€2425pF@15V

    连续漏极电流:40A€60A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3932DV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3932DV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3932DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1036X-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1036X-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1036X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@15V

    连续漏极电流:610mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:540mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7994DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7994DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ910AEP-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ910AEP-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1869pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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