品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHB120N60E-GE3
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:179W
导通电阻:120mΩ@12A,10V
连续漏极电流:25A
包装方式:管件
漏源电压:600V
输入电容:1562pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:192W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2954pF@100V
栅极电荷:72nC@10V
连续漏极电流:33A
漏源电压:600V
导通电阻:71mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHP068N60EF-GE3
输入电容:2628pF@100V
导通电阻:68mΩ@16A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
功率:250W
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
漏源电压:600V
连续漏极电流:41A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD240N60E-GE3
输入电容:783pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:78W
连续漏极电流:12A
栅极电荷:23nC@10V
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:192W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2954pF@100V
栅极电荷:72nC@10V
连续漏极电流:33A
漏源电压:600V
导通电阻:71mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:192W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2954pF@100V
栅极电荷:72nC@10V
连续漏极电流:33A
漏源电压:600V
导通电阻:71mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
输入电容:2557pF@100V
栅极电荷:63nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:80mΩ@17A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):IRFP22N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:3570pF@25V
导通电阻:280mΩ@13A,10V
连续漏极电流:22A
包装方式:管件
功率:370W
漏源电压:600V
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:36A
功率:202W
漏源电压:600V
输入电容:2647pF@100V
导通电阻:71mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:49mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:4013pF@100V
功率:278W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:48A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3
功率:227W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
栅极电荷:63nC@10V
连续漏极电流:35A
漏源电压:600V
导通电阻:80mΩ@17A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHP690N60E-GE3
功率:62.5W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
导通电阻:700mΩ@2A,10V
输入电容:347pF@100V
漏源电压:600V
连续漏极电流:6.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:49mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:4013pF@100V
功率:278W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:48A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRFP27N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
漏源电压:600V
功率:500W
导通电阻:220mΩ@16A,10V
连续漏极电流:27A
栅极电荷:180nC@10V
输入电容:4660pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3
导通电阻:57mΩ
包装方式:管件
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:600V
功率:250W
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHP100N60E-GE3
导通电阻:100mΩ@13A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:208W
包装方式:管件
漏源电压:600V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1851pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:192W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2954pF@100V
栅极电荷:72nC@10V
连续漏极电流:33A
漏源电压:600V
导通电阻:71mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):IRFP22N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:3570pF@25V
导通电阻:280mΩ@13A,10V
连续漏极电流:22A
包装方式:管件
功率:370W
漏源电压:600V
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:19A
导通电阻:195mΩ@9,5A,10V
类型:N沟道
输入电容:1080pF@100V
包装方式:管件
栅极电荷:32nC@10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
输入电容:2557pF@100V
栅极电荷:63nC@10V
漏源电压:600V
导通电阻:80mΩ@17A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP050N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
输入电容:3459pF@100V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
功率:278W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:50mΩ@23A,10V
连续漏极电流:51A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
功率:278W
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@9,5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1118pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:201mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG018N60E-GE3
ECCN:EAR99
包装方式:管件
类型:N-Channel
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2628pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: