采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS178LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：28.5nC@10V
输入电容：1.135nF@35V
连续漏极电流：13.9A€45.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS178LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：28.5nC@10V
输入电容：1.135nF@35V
连续漏极电流：13.9A€45.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS178LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：28.5nC@10V
输入电容：1.135nF@35V
连续漏极电流：13.9A€45.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS178LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：28.5nC@10V
输入电容：1.135nF@35V
连续漏极电流：13.9A€45.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
