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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG026N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：521W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7926pF@100V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG026N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：521W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7926pF@100V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG026N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：521W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7926pF@100V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM90142E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：15.3mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ906E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.3mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM90142E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：15.3mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ906E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.3mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG026N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：521W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7926pF@100V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM90142E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：15.3mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM90142E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：15.3mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM90142E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：15.3mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
