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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA72EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA72EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA72EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：44.5W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：22nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@50V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：44.5W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：22nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@50V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA72EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：44.5W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：22nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@50V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA72EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA72EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
