品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:43.1W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2247pF@10V
漏源电压:25V
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
连续漏极电流:60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3
输入电容:1750pF@30V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:6mΩ@20A,10V
连续漏极电流:60A
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3
输入电容:1750pF@30V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:6mΩ@20A,10V
连续漏极电流:60A
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
功率:55W
输入电容:2922pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
漏源电压:40V
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
输入电容:5000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
漏源电压:40V
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
输入电容:5000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA80EP-T1_GE3
输入电容:3800pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
漏源电压:40V
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
输入电容:5000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
漏源电压:40V
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
输入电容:5000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
功率:65.8W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:111nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4380pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA80EP-T1_GE3
输入电容:3800pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA80EP-T1_GE3
输入电容:3800pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2306
规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
输入电容:10700pF@25V
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@10A,10V
连续漏极电流:60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7192DP-T1-GE3
输入电容:5800pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@20A,10V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
漏源电压:40V
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
输入电容:5000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
功率:65.8W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:111nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4380pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA80EP-T1_GE3
输入电容:3800pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
功率:65.8W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:111nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4380pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
功率:65.8W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:111nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4380pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:68W
栅极电荷:85nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:5100pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR440DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
漏源电压:20V
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:6000pF@10V
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
功率:5.4W€83W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
输入电容:10700pF@25V
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@10A,10V
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-RE3
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: