销售单位：个

规格型号(MPN)：SISF00DN-T1-GE3

阈值电压：2.1V@250µA

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

连续漏极电流：60A

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：2700pF@15V

类型：2N沟道（双）共漏

导通电阻：5mΩ@10A，10V

功率：69.4W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA10DP-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

类型：N沟道

输入电容：2425pF@15V

导通电阻：3.7mΩ@10A，10V

连续漏极电流：60A

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：51nC@10V

功率：5W€40W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3

功率：46W

导通电阻：5.5mΩ@20A，10V

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

类型：2个P沟道（双）

连续漏极电流：60A

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

输入电容：6200pF@15V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7145DP-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：15660pF@15V

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

功率：6.25W€104W

类型：P沟道

连续漏极电流：60A

栅极电荷：413nC@10V

阈值电压：2.3V@250µA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7145DP-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：15660pF@15V

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

功率：6.25W€104W

类型：P沟道

连续漏极电流：60A

栅极电荷：413nC@10V

阈值电压：2.3V@250µA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：5860pF@15V

类型：P沟道

连续漏极电流：60A

功率：52W

栅极电荷：46nC@2.5V

阈值电压：1.6V@250µA

ECCN：EAR99

导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：5860pF@15V

类型：P沟道

连续漏极电流：60A

功率：52W

栅极电荷：46nC@2.5V

阈值电压：1.6V@250µA

ECCN：EAR99

导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR165DP-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：4930pF@15V

功率：69.4W

类型：P沟道

连续漏极电流：60A

栅极电荷：138nC@10V

ECCN：EAR99

导通电阻：4.6mΩ@15A，10V

阈值电压：2.3V@250µA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR165DP-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：4930pF@15V

功率：69.4W

类型：P沟道

连续漏极电流：60A

栅极电荷：138nC@10V

ECCN：EAR99

导通电阻：4.6mΩ@15A，10V

阈值电压：2.3V@250µA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA10DP-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

类型：N沟道

输入电容：2425pF@15V

导通电阻：3.7mΩ@10A，10V

连续漏极电流：60A

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：51nC@10V

功率：5W€40W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA84DP-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

阈值电压：2.4V@250µA

栅极电荷：38nC@10V

类型：N沟道

连续漏极电流：60A

输入电容：1535pF@15V

功率：34.7W

导通电阻：4.6mΩ@15A，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA10DP-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

类型：N沟道

输入电容：2425pF@15V

导通电阻：3.7mΩ@10A，10V

连续漏极电流：60A

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：51nC@10V

功率：5W€40W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7135DP-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

类型：P沟道

连续漏极电流：60A

输入电容：8650pF@15V

栅极电荷：250nC@10V

ECCN：EAR99

阈值电压：3V@250µA

导通电阻：3.9mΩ@20A，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7994DP-T1-GE3

功率：46W

包装方式：卷带（TR）

导通电阻：5.6mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

类型：2N沟道（双）

输入电容：3500pF@15V

连续漏极电流：60A

ECCN：EAR99

阈值电压：3V@250µA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZF906DT-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

连续漏极电流：60A

阈值电压：2.2V@250µA

工作温度：-55℃~150℃

功率：38W€83W

输入电容：2000pF@15V€8200pF@15V

类型：2个N通道（半桥）

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR167DP-T1-GE3

导通电阻：5.5mΩ@15A，10V

功率：65.8W

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

栅极电荷：111nC@10V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：4380pF@15V

阈值电压：2.5V@250µA

类型：P沟道

连续漏极电流：60A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：5860pF@15V

类型：P沟道

连续漏极电流：60A

功率：52W

栅极电荷：46nC@2.5V

阈值电压：1.6V@250µA

ECCN：EAR99

导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA10DP-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

类型：N沟道

输入电容：2425pF@15V

导通电阻：3.7mΩ@10A，10V

连续漏极电流：60A

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：51nC@10V

功率：5W€40W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-RE3

栅极电荷：65nC@10V

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：3420pF@15V

类型：N沟道

导通电阻：2.1mΩ@10A，10V

连续漏极电流：60A

阈值电压：2.2V@250µA

功率：27.8W

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA10DP-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

类型：N沟道

输入电容：2425pF@15V

导通电阻：3.7mΩ@10A，10V

连续漏极电流：60A

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：51nC@10V

功率：5W€40W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：2306

规格型号(MPN)：SQJ407EP-T1_GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：260nC@10V

功率：68W

输入电容：10700pF@25V

类型：P沟道

导通电阻：4.4mΩ@10A，10V

连续漏极电流：60A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7192DP-T1-GE3

输入电容：5800pF@15V

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

阈值电压：2.5V@250µA

类型：N沟道

导通电阻：1.9mΩ@20A，10V

功率：6.25W€104W

连续漏极电流：60A

栅极电荷：135nC@10V

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7145DP-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：15660pF@15V

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

功率：6.25W€104W

类型：P沟道

连续漏极电流：60A

栅极电荷：413nC@10V

阈值电压：2.3V@250µA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7994DP-T1-GE3

功率：46W

包装方式：卷带（TR）

导通电阻：5.6mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

类型：2N沟道（双）

输入电容：3500pF@15V

连续漏极电流：60A

ECCN：EAR99

阈值电压：3V@250µA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：5860pF@15V

类型：P沟道

连续漏极电流：60A

功率：52W

栅极电荷：46nC@2.5V

阈值电压：1.6V@250µA

ECCN：EAR99

导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRC18DP-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5060pF@15V

漏源电压：30V

栅极电荷：111nC@10V

工作温度：-55℃~150℃

阈值电压：2.4V@250µA

类型：N沟道

连续漏极电流：60A

功率：54.3W

导通电阻：1.1mΩ@15A，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR167DP-T1-GE3

导通电阻：5.5mΩ@15A，10V

功率：65.8W

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

栅极电荷：111nC@10V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：4380pF@15V

阈值电压：2.5V@250µA

类型：P沟道

连续漏极电流：60A

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7994DP-T1-GE3

功率：46W

包装方式：卷带（TR）

导通电阻：5.6mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

类型：2N沟道（双）

输入电容：3500pF@15V

连续漏极电流：60A

ECCN：EAR99

阈值电压：3V@250µA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS67DN-T1-GE3

导通电阻：5.5mΩ@15A，10V

功率：65.8W

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

栅极电荷：111nC@10V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：4380pF@15V

阈值电压：2.5V@250µA

类型：P沟道

连续漏极电流：60A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS67DN-T1-GE3

导通电阻：5.5mΩ@15A，10V

功率：65.8W

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

栅极电荷：111nC@10V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：4380pF@15V

阈值电压：2.5V@250µA

类型：P沟道

连续漏极电流：60A

包装清单：商品主体 * 1