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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2245
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2241
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7317DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7317DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7317DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
