品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:30nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@10V
连续漏极电流:4A€5.3A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1079X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:1.44A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7629DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:177nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5790pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€2.8W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:54mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
连续漏极电流:5.97A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@10V
连续漏极电流:26.6A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@10V
连续漏极电流:26.6A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:30nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@10V
连续漏极电流:4A€5.3A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:30nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@10V
连续漏极电流:4A€5.3A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W€2.78W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W€2.78W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
连续漏极电流:5.97A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:835pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA401EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:3.75A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:835pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W€2.78W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: