品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH114ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@15V
连续漏极电流:18A€35A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: