销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7115DN-T1-E3

工作温度：-50℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1190pF@50V

连续漏极电流：8.9A

类型：P沟道

导通电阻：295mΩ@4A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7115DN-T1-E3

工作温度：-50℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1190pF@50V

连续漏极电流：8.9A

类型：P沟道

导通电阻：295mΩ@4A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：93nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3600pF@15V

连续漏极电流：18A

类型：P沟道

导通电阻：9.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：181nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5590pF@10V

连续漏极电流：18A

类型：P沟道

导通电阻：7.1mΩ@20A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.6V@250µA

栅极电荷：46nC@2.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5860pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.6V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC@2.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5860pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：181nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5590pF@10V

连续漏极电流：18A

类型：P沟道

导通电阻：7.1mΩ@20A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.6V@250µA

栅极电荷：46nC@2.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5860pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：181nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5590pF@10V

连续漏极电流：18A

类型：P沟道

导通电阻：7.1mΩ@20A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：2.1V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：26nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2650pF@10V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：1.4mΩ@15A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：181nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5590pF@10V

连续漏极电流：18A

类型：P沟道

导通电阻：7.1mΩ@20A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：93nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3600pF@15V

连续漏极电流：18A

类型：P沟道

导通电阻：9.5mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：181nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5590pF@10V

连续漏极电流：18A

类型：P沟道

导通电阻：7.1mΩ@20A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4.2V@250µA

栅极电荷：14.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：420pF@75V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：58mΩ@10A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：181nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5590pF@10V

连续漏极电流：18A

类型：P沟道

导通电阻：7.1mΩ@20A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：181nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5590pF@10V

连续漏极电流：18A

类型：P沟道

导通电阻：7.1mΩ@20A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.6V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC@2.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5860pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.6V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC@2.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5860pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4.2V@250µA

栅极电荷：14.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：420pF@75V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：58mΩ@10A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1