品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@40V
连续漏极电流:33.6A€137.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8150pF@10V
连续漏极电流:71.9A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:97nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8130pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
连续漏极电流:81.7A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@40V
连续漏极电流:30.7A€125A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8150pF@10V
连续漏极电流:71.9A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1286pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11700pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:625nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11700pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@40V
连续漏极电流:33.6A€137.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:97nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8130pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7633DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9500pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1286pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: