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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBE20GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBE20GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：SIHA6N80AE-GE3
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功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBE20GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：SIHA6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFIBE20GPBF
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功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：SIHA6N80AE-GE3
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功率：30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFIBE20GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
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包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：SIHA6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SIHA6N80AE-GE3
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功率：30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
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功率：30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
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规格型号(MPN)：IRFIBE20GPBF
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功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFIBE20GPBF
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：800V
连续漏极电流：1.4A
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包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SIHA6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
包装方式：管件
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
输入电容：422pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBE20GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
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行业应用：工业,汽车
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功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBE20GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
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