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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD30N05-20L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1175pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD30N05-20L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1175pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD30N05-20L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1175pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ906E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.3mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD30N05-20L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1175pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD30N05-20L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1175pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ906E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.3mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD30N05-20L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1175pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD30N05-20L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1175pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD30N05-20L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1175pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD30N05-20L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1175pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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