采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFR220TRL-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：4.8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFR220TRL-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：4.8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFR220TRL-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：14 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260 pF @ 25 V
连续漏极电流：4.8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：800 毫欧 @ 2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：5W（Ta），38W（Tc）
阈值电压：2.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470 pF @ 15 V
连续漏极电流：27A（Ta），60A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：5W（Ta），38W（Tc）
阈值电压：2.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470 pF @ 15 V
连续漏极电流：27A（Ta），60A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：IRFR9024PBF
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8.8A
漏源电压：60V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
类型：P沟道
包装方式：管件
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：570pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：27nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF @ 50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7155DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：6.25W（Ta），104W（Tc）
阈值电压：2.3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：330 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12900 pF @ 20 V
连续漏极电流：31A（Ta），100A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：3.6 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7155DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：6.25W（Ta），104W（Tc）
阈值电压：2.3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：330 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12900 pF @ 20 V
连续漏极电流：31A（Ta），100A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：3.6 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：27nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF @ 50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：27nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF @ 50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3
栅极电荷：32 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：27A（Ta），60A（Tc）
输入电容：1470 pF @ 15 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 10A，10V
功率：5W（Ta），38W（Tc）
阈值电压：2.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：IRFR9024PBF
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8.8A
漏源电压：60V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
类型：P沟道
包装方式：管件
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：570pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
栅极电荷：36nC@10V
阈值电压：3.6V@250µA
输入电容：1520pF@40V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：30 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825 pF @ 10 V
连续漏极电流：8A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：24 毫欧 @ 7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU430APBF
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：110W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：24 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：490 pF @ 25 V
连续漏极电流：5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 欧姆 @ 3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5504BDC-T1-E3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.12W，3.1W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF @ 15V
连续漏极电流：4A，3.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：65 毫欧 @ 3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.4W（Ta），17.9W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：45 nC @ 8 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300 pF @ 10 V
连续漏极电流：12A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：33 毫欧 @ 5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3590DV-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：4.5nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A，1.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：77 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EF-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：250W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：122 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：2774 pF @ 100 V
连续漏极电流：24A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：156 毫欧 @ 12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4151DY-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），5.6W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：87 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250 pF @ 15 V
连续漏极电流：15.2A（Ta），20.5A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：7.5 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF-BE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350 pF @ 25 V
连续漏极电流：2A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.4 欧姆 @ 1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7913DN-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.3W
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9110PBF
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），25W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：8.7 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：200 pF @ 25 V
连续漏极电流：3.1A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：1.2 欧姆 @ 1.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ710DT-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：27W，48W
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：18nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF @ 10V
连续漏极电流：16A，35A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：6.8 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
