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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：2V
栅极电荷：69nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80.8A
类型：MOSFET
导通电阻：5.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.1nC€13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24.7A€24.6A
类型：MOSFET
导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.95nF@15V
连续漏极电流：47.1A€162A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.95nF@15V
连续漏极电流：47.1A€162A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€22.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@30V
连续漏极电流：15.8A€39.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS30DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.666nF@10V
连续漏极电流：15.9A€54.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.25mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA14BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：45W€3.8W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：917pF@15V
连续漏极电流：72A€21A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.38mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.579nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：2V
栅极电荷：69nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80.8A
类型：MOSFET
导通电阻：5.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：2.425nF@15V
连续漏极电流：30A€25A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€26.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.65nF@15V
连续漏极电流：60A€22A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4604DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€22.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@30V
连续漏极电流：15.8A€39.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.77nF@30V
连续漏极电流：40.4A€165A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.75mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
