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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7113DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@50V

    连续漏极电流:13.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:134mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7112DN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7112DN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7112DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@15V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1317DL-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1317DL-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:272pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si4943CDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 Si4943CDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si4943CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1317DL-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1317DL-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:272pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1317DL-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1317DL-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:272pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA437DJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA437DJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA437DJ-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@10V

    连续漏极电流:29.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9933CDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9933CDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9933CDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9933CDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7655ADN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7119DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7119DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7119DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:666pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.05Ω@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:760mW€2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@40V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:270mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:14.4A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7119DN-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7119DN-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7119DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:666pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.05Ω@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9933CDY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9933CDY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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