品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
功率:1.9W
连续漏极电流:7.6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2V@250µA
功率:1.56W
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
功率:1.9W
连续漏极电流:7.6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2V@250µA
功率:1.56W
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3
连续漏极电流:12.7A€18.3A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€4.8W
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD19P06-60L_T4GE3
功率:46W
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@19A,10V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH410DN-T1-GE3
连续漏极电流:22A€35A
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
输入电容:1600pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2V@250µA
功率:1.56W
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF634PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:8.1A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA74DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€46.2W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:24A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH410DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:22A€35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI634GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@3.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€4.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
连续漏极电流:12.7A€18.3A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€4.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
连续漏极电流:12.7A€18.3A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€4.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
连续漏极电流:12.7A€18.3A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD19P06-60L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€4.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
连续漏极电流:12.7A€18.3A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€4.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
连续漏极电流:12.7A€18.3A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA74DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€46.2W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:24A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI634GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@3.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: