品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA94EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:46A
功率:55W
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@40V
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3
输入电容:4700pF@40V
功率:5.2W€83.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
漏源电压:80V
类型:P沟道
栅极电荷:160nC@10V
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-25L_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:137nC@10V
导通电阻:25mΩ@10.5A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:5350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:145nC@10V
漏源电压:80V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
输入电容:6035pF@25V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
导通电阻:28mΩ@12.5A,10V
连续漏极电流:48A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3
输入电容:5100pF@40V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:155nC@10V
功率:100W
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P08-25L-E3
输入电容:4700pF@40V
包装方式:卷带(TR)
功率:8.3W€136W
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:25.2mΩ@12.5A,10V
栅极电荷:160nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA92EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:57A
ECCN:EAR99
输入电容:2650pF@25V
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
功率:1.9W
连续漏极电流:7.6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2V@250µA
功率:1.56W
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):SQSA82CENW-T1_GE3
包装方式:Reel
栅极电荷:6.4nC
漏源电压:80V
阈值电压:2V
连续漏极电流:12A
功率:27W
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:90MΩ
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
功率:6.25W€104W
输入电容:4100pF@40V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:4.8W€57W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1295pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:3.5V@250µA
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:16.9A€58.1A
输入电容:1380pF@40V
栅极电荷:28.5nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:8mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:4.8W€56.8W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA94EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:46A
功率:55W
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB90EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:48W
类型:2N沟道(双)
漏源电压:80V
阈值电压:3.5V@250µA
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:2.88mΩ@20A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
功率:6.25W€104W
ECCN:EAR99
输入电容:4415pF@40V
连续漏极电流:30.7A€125A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3
输入电容:4700pF@40V
功率:5.2W€83.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
漏源电压:80V
类型:P沟道
栅极电荷:160nC@10V
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
功率:1.9W
连续漏极电流:7.6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2V@250µA
功率:1.56W
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:19mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:32nC@10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2387DS-T1-GE3
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:395pF@40V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.1A€3A
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:164mΩ@2.1A,10V
漏源电压:80V
类型:P沟道
栅极电荷:10.2nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA80EP-T1_GE3
输入电容:3800pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826ADP-T1-GE3
栅极电荷:86nC@10V
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:2800pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
功率:68W
导通电阻:33mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:4500pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P08-25L-E3
输入电容:4700pF@40V
包装方式:卷带(TR)
功率:8.3W€136W
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:25.2mΩ@12.5A,10V
栅极电荷:160nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3476DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2W€3.6W
栅极电荷:7.5nC@10V
连续漏极电流:4.6A
导通电阻:93mΩ@3.5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:195pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:2.88mΩ@20A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
功率:6.25W€104W
ECCN:EAR99
输入电容:4415pF@40V
连续漏极电流:30.7A€125A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:6.25W€125W
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
连续漏极电流:32.8A€100A
输入电容:5150pF@40V
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM60020E-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:227nC@10V
功率:375W
输入电容:10680pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: