品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
漏源电压:40V
输入电容:1855pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
漏源电压:40V
输入电容:1855pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS482EN-T1_GE3
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1865pF@25V
导通电阻:8.5mΩ@16.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-GE3
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
漏源电压:75V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
类型:N沟道
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRFP350LCPBF
导通电阻:300mΩ@9.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
输入电容:2200pF@25V
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
功率:190W
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS401EN-T1_BE3
输入电容:1875pF@20V
包装方式:卷带(TR)
功率:62.5W
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@12A,10V
栅极电荷:21.2nC@4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):SQSA84CENW-T1_GE3
栅极电荷:14.1nC
包装方式:Reel
漏源电压:80V
阈值电压:2V
功率:27W
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:32mΩ€37mΩ
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA96DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1385pF@15V
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
功率:26.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA96DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1385pF@15V
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
功率:34.7W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
漏源电压:40V
输入电容:1855pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA96DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1385pF@15V
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
功率:34.7W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
漏源电压:40V
输入电容:1855pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:62.5W
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2350pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA96DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1385pF@15V
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
功率:26.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_GE3
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
漏源电压:40V
输入电容:1855pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484ENW-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:62.5W
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8mΩ@10A,10V
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
输入电容:1800pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA96DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1385pF@15V
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
功率:34.7W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2628pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB17N50LPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2760pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@9.9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP350LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@9.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4470EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3165pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA96DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: