销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA436DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€19W

阈值电压：800mV@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：25.2nC@5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1508pF@4V

连续漏极电流：12A

类型：N沟道

导通电阻：9.4mΩ@15.7A，4.5V

漏源电压：8V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA477EDJ-T1-GE3

输入电容：2970pF@6V

包装方式：卷带（TR）

导通电阻：14mΩ@7A，4.5V

工作温度：-55℃~150℃

栅极电荷：87nC@8V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

漏源电压：12V

阈值电压：1V@250µA

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SQSA82CENW-T1_GE3

包装方式：Reel

栅极电荷：6.4nC

漏源电压：80V

阈值电压：2V

连续漏极电流：12A

功率：27W

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：90MΩ

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA477EDJT-T1-GE3

栅极电荷：50nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3050pF@6V

工作温度：-55℃~150℃

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

漏源电压：12V

阈值电压：1V@250µA

功率：19W

ECCN：EAR99

导通电阻：13mΩ@5A，4.5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHD240N60E-GE3

输入电容：783pF@100V

工作温度：-55℃~150℃

阈值电压：5V@250µA

类型：N沟道

功率：78W

连续漏极电流：12A

栅极电荷：23nC@10V

导通电阻：240mΩ@5.5A，10V

包装方式：管件

漏源电压：600V

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：IRF9530SPBF

输入电容：860pF@25V

导通电阻：300mΩ@7.2A，10V

栅极电荷：38nC@10V

连续漏极电流：12A

工作温度：-55℃~175℃

功率：3.7W€88W

类型：P沟道

包装方式：管件

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA400EDJ-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

功率：19.2W

类型：N沟道

连续漏极电流：12A

栅极电荷：36nC@10V

输入电容：1265pF@15V

阈值电压：1.5V@250µA

ECCN：EAR99

导通电阻：19mΩ@11A，4.5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

输入电容：950pF@15V

工作温度：-55℃~150℃

栅极电荷：29nC@10V

导通电阻：35mΩ@5.3A，10V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

ECCN：EAR99

阈值电压：3V@250µA

功率：3.5W€19W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3

输入电容：1031pF@20V

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：40V

阈值电压：2.5V@250µA

类型：N沟道

连续漏极电流：12A

工作温度：-55℃~175℃

导通电阻：20mΩ@7.5A，10V

栅极电荷：22.5nC@10V

功率：33W

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI5418DU-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：1350pF@15V

类型：N沟道

连续漏极电流：12A

导通电阻：14.5mΩ@7.7A，10V

功率：3.1W€31W

栅极电荷：30nC@10V

ECCN：EAR99

阈值电压：3V@250µA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA469DJ-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

连续漏极电流：12A

功率：15.6W

导通电阻：26.5mΩ@5A，10V

类型：P沟道

输入电容：1020pF@15V

栅极电荷：15nC@4.5V

ECCN：EAR99

阈值电压：3V@250µA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA483DJ-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

栅极电荷：45nC@10V

工作温度：-55℃~150℃

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

阈值电压：2.2V@250µA

输入电容：1550pF@15V

ECCN：EAR99

导通电阻：21mΩ@5A，10V

功率：3.5W€19W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA449DJ-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

连续漏极电流：12A

栅极电荷：72nC@10V

输入电容：2140pF@15V

导通电阻：20mΩ@6A，10V

类型：P沟道

阈值电压：1.5V@250µA

ECCN：EAR99

功率：3.5W€19W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA413ADJ-T1-GE3

导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V

包装方式：卷带（TR）

栅极电荷：57nC@8V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：1800pF@10V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

漏源电压：12V

阈值电压：1V@250µA

功率：19W

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

连续漏极电流：12A

输入电容：2300pF@4V

栅极电荷：50nC@5V

类型：P沟道

阈值电压：800mV@250µA

导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V

漏源电压：8V

ECCN：EAR99

功率：3.5W€19W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3

功率：83W

导通电阻：213mΩ@1A，4V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：12A

阈值电压：3.5V@250µA

工作温度：-55℃~175℃

类型：P沟道

栅极电荷：160nC@10V

输入电容：4355pF@25V

ECCN：EAR99

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA436DJ-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

栅极电荷：25.2nC@5V

工作温度：-55℃~150℃

导通电阻：9.4mΩ@15.7A，4.5V

类型：N沟道

连续漏极电流：12A

输入电容：1508pF@4V

阈值电压：800mV@250µA

漏源电压：8V

ECCN：EAR99

功率：3.5W€19W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SQSA82CENW-T1_GE3

包装方式：Reel

栅极电荷：6.4nC

漏源电压：80V

阈值电压：2V

连续漏极电流：12A

功率：27W

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：90MΩ

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA440DJ-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

漏源电压：40V

类型：N沟道

连续漏极电流：12A

输入电容：700pF@20V

阈值电压：1.4V@250µA

栅极电荷：21.5nC@10V

ECCN：EAR99

导通电阻：26mΩ@9A，10V

功率：3.5W€19W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI5418DU-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：1350pF@15V

类型：N沟道

连续漏极电流：12A

导通电阻：14.5mΩ@7.7A，10V

功率：3.1W€31W

栅极电荷：30nC@10V

ECCN：EAR99

阈值电压：3V@250µA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA477EDJ-T1-GE3

输入电容：2970pF@6V

包装方式：卷带（TR）

导通电阻：14mΩ@7A，4.5V

工作温度：-55℃~150℃

栅极电荷：87nC@8V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

漏源电压：12V

阈值电压：1V@250µA

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

阈值电压：850mV@250µA

导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

漏源电压：12V

输入电容：2880pF@6V

功率：19W

ECCN：EAR99

栅极电荷：80nC@8V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

连续漏极电流：12A

输入电容：2300pF@4V

栅极电荷：50nC@5V

类型：P沟道

阈值电压：800mV@250µA

导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V

漏源电压：8V

ECCN：EAR99

功率：3.5W€19W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS412DN-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

导通电阻：24mΩ@7.8A，10V

阈值电压：2.5V@250µA

类型：N沟道

连续漏极电流：12A

栅极电荷：12nC@10V

输入电容：435pF@15V

ECCN：EAR99

功率：3.2W€15.6W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3

输入电容：783pF@100V

包装方式：卷带（TR）

类型：1个N沟道

功率：89W

连续漏极电流：12A

栅极电荷：23nC@10V

导通电阻：240mΩ@5.5A，10V

阈值电压：5V@250μA

工作温度：-55℃~+150℃

漏源电压：600V

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA436DJ-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

栅极电荷：25.2nC@5V

工作温度：-55℃~150℃

导通电阻：9.4mΩ@15.7A，4.5V

类型：N沟道

连续漏极电流：12A

输入电容：1508pF@4V

阈值电压：800mV@250µA

漏源电压：8V

ECCN：EAR99

功率：3.5W€19W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

阈值电压：850mV@250µA

导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

漏源电压：12V

输入电容：2880pF@6V

功率：19W

ECCN：EAR99

栅极电荷：80nC@8V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA477EDJT-T1-GE3

栅极电荷：50nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3050pF@6V

工作温度：-55℃~150℃

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

漏源电压：12V

阈值电压：1V@250µA

功率：19W

ECCN：EAR99

导通电阻：13mΩ@5A，4.5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：IRF9530PBF

输入电容：860pF@25V

导通电阻：300mΩ@7.2A，10V

栅极电荷：38nC@10V

连续漏极电流：12A

阈值电压：4V@250μA

功率：88W

包装方式：管件

工作温度：-55℃~+175℃

ECCN：EAR99

类型：1个P沟道

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS412DN-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

工作温度：-55℃~150℃

导通电阻：24mΩ@7.8A，10V

阈值电压：2.5V@250µA

类型：N沟道

连续漏极电流：12A

栅极电荷：12nC@10V

输入电容：435pF@15V

ECCN：EAR99

功率：3.2W€15.6W

包装清单：商品主体 * 1