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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.1nC€13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24.7A€24.6A
类型：MOSFET
导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.1nC€13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24.7A€24.6A
类型：MOSFET
导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
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栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
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功率：28W
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连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
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功率：48W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
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栅极电荷：100nC
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连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
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栅极电荷：100nC
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类型：MOSFET
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规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
漏源电压：30V
包装方式：Reel
阈值电压：1.1V
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功率：28W
连续漏极电流：25A
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栅极电荷：29.5nC
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规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
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漏源电压：40V
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功率：48W
栅极电荷：100nC
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连续漏极电流：131A
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
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连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
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功率：28W
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栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.1nC€13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24.7A€24.6A
类型：MOSFET
导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
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类型：MOSFET
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
包装方式：Reel
漏源电压：40V
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功率：48W
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工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：1.63mΩ
连续漏极电流：131A
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
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