销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~125℃

阈值电压：3.1V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：5.3A€17.2A

类型：N沟道

导通电阻：50mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~125℃

阈值电压：3.1V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：5.3A€17.2A

类型：N沟道

导通电阻：50mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：550pF@50V

连续漏极电流：28A

类型：N沟道

导通电阻：33mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：4.1W€29.7W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：550pF@50V

连续漏极电流：21A

类型：N沟道

导通电阻：33mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2369BDS-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.3W€2.5W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：745pF@15V

连续漏极电流：5.6A€7.5A

类型：P沟道

导通电阻：27mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：550pF@50V

连续漏极电流：28A

类型：N沟道

导通电阻：33mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~125℃

阈值电压：3.1V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：5.3A€17.2A

类型：N沟道

导通电阻：50mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~125℃

阈值电压：3.1V@250µA

ECCN：EAR99

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销售单位：个

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阈值电压：3.1V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3

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阈值电压：3.1V@250µA

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栅极电荷：19.5nC@10V

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阈值电压：3.1V@250µA

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栅极电荷：19.5nC@10V

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ECCN：EAR99

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：4.1W€29.7W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

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类型：N沟道

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3

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功率：4.1W€29.7W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

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输入电容：550pF@50V

连续漏极电流：21A

类型：N沟道

导通电阻：33mΩ@10A，10V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2369BDS-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.3W€2.5W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

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类型：P沟道

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

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ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2369BDS-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.3W€2.5W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

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连续漏极电流：5.6A€7.5A

类型：P沟道

导通电阻：27mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~125℃

阈值电压：3.1V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

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输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：5.3A€17.2A

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栅极电荷：19.5nC@10V

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连续漏极电流：21A

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销售单位：个

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阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

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连续漏极电流：21A

类型：N沟道

导通电阻：33mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：4.1W€29.7W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：550pF@50V

连续漏极电流：21A

类型：N沟道

导通电阻：33mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

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ECCN：EAR99

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销售单位：个

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栅极电荷：19.5nC@10V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2369BDS-T1-GE3

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漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：4.1W€29.7W

阈值电压：3V@250µA

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栅极电荷：19.5nC@10V

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类型：N沟道

导通电阻：33mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3

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栅极电荷：19.5nC@10V

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7172ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~125℃

阈值电压：3.1V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

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导通电阻：27mΩ@5A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3

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包装清单：商品主体 * 1