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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF068N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2628pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR166DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3340pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS06DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3660pF@15V
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR166DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3340pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR166DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3340pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS06DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3660pF@15V
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.15mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR166DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3340pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS06DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3660pF@15V
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR166DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3340pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS06DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3660pF@15V
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS407ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4572pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：10.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS476DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS476DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS476DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.15mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF068N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2628pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
