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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7143DP-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.2W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@16.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7143DP-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.2W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@16.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7143DP-T1-GE3
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功率：4.2W€35.7W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@16.1A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
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功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
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功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI7143DP-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.2W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@16.1A，10V
漏源电压：30V
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功率：4.2W€35.7W
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连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@16.1A，10V
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规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
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功率：3.8W€52.1W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@16.1A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：2.8V@250µA
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栅极电荷：71nC@10V
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输入电容：3345pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：-50℃~150℃
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栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@16.1A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7143DP-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.2W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
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栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@16.1A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7143DP-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.2W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@16.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2243
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.345nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2243
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.345nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7143DP-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.2W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@16.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
