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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4660pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ44STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@31A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA02DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA02DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6150pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5910pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5910pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4660pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70090E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70090E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44PBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44PBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ44PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@31A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4660pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:159nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5380pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ44PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@31A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P06-15-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€113W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15L-E3 起订4000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15L-E3 起订4000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P06-15L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:310nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9080pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-09L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6675pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-09L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6675pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:310nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9080pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:310nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9080pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15L-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15L-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P06-15L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD45P03-12_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD45P03-12_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3495pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-09L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6675pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50P08-25L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50P08-25L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50P08-25L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5350pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:159nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5380pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD45P03-12_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD45P03-12_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3495pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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