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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1441EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7846DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1424EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1424EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7846DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1441EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1424EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9933CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5515CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1424EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
