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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_4GE3
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功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
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输入电容：2190pF@25V
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类型：N沟道
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输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
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输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
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功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
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功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
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规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
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功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
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功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
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功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SQD50034E_GE3
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功率：107W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50034E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_GE3
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功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
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输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
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规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50034E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
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