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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
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输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
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漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIJA58ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：32.3A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIJA58ADP-T1-GE3
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功率：5W€56.8W
阈值电压：2.4V@250µA
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栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：32.3A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7190ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@100V
连续漏极电流：4.3A€14.4A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@4.3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7190ADP-T1-RE3
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功率：5W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@100V
连续漏极电流：4.3A€14.4A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@4.3A，10V
漏源电压：250V
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规格型号(MPN)：SIJA58ADP-T1-GE3
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阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：32.3A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SI7190ADP-T1-RE3
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连续漏极电流：4.3A€14.4A
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导通电阻：102mΩ@4.3A，10V
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输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：32.3A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：32.3A€109A
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导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
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栅极电荷：153nC@10V
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连续漏极电流：40A
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栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：32.3A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIJA58ADP-T1-GE3
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阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：32.3A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA58ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：32.3A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7190ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
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输入电容：860pF@100V
连续漏极电流：4.3A€14.4A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@4.3A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA58ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：32.3A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7190ADP-T1-RE3
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功率：5W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@100V
连续漏极电流：4.3A€14.4A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@4.3A，10V
漏源电压：250V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7190ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@100V
连续漏极电流：4.3A€14.4A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@4.3A，10V
漏源电压：250V
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品牌：VISHAY
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规格型号(MPN)：SI7190ADP-T1-RE3
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@100V
连续漏极电流：4.3A€14.4A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@4.3A，10V
漏源电压：250V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：5W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@100V
连续漏极电流：4.3A€14.4A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@4.3A，10V
漏源电压：250V
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品牌：VISHAY
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@100V
连续漏极电流：4.3A€14.4A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@4.3A，10V
漏源电压：250V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA58ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：32.3A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
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