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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4850EY-T1-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4850EY-T1-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS468DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10V，10A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5403DC-T1-GE3
功率：6.3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@10V，7.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SUM90P10-19L-E3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：326nC@10V
连续漏极电流：90A
阈值电压：3V@250μA
输入电容：11.1nF@50V
导通电阻：19mΩ@10V，20A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W€375W
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4850EY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：27nC@10V
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
导通电阻：22mΩ@6A，10V
功率：1.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7423DN-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.4A
漏源电压：30V
导通电阻：18mΩ@10V，11.7A
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：56nC@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304BDS-T1-E3
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：225pF@15V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：2.6A
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2350
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SUM110P06-07L-E3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11.4nF@25V
栅极电荷：345nC@10V
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：110A
功率：3.75W€375W
导通电阻：6.9mΩ@30A，10V
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
