品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-BE3
功率:2W€3.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
连续漏极电流:2.2A€2.9A
输入电容:350pF@30V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343DS-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.1A
导通电阻:53mΩ@4A,10V
栅极电荷:21nC@10V
类型:P沟道
输入电容:540pF@15V
功率:750mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
漏源电压:60V
类型:P沟道
连续漏极电流:4.7A
输入电容:600pF@30V
导通电阻:120mΩ@3.2A,10V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3
功率:2W€3.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:3V
导通电阻:216mΩ
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:350pF@30V
类型:P-Channel
连续漏极电流:2.2A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
输入电容:1945pF@10V
工作温度:-50℃~150℃
导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
漏源电压:30V
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:155pF@15V
功率:1W€2.3W
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1350pF@15V
栅极电荷:50nC@10V
连续漏极电流:11.4A
导通电阻:24mΩ@9.1A,10V
类型:P沟道
功率:2.5W€5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
连续漏极电流:3.2A
栅极电荷:40nC@10V
漏源电压:60V
类型:P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
功率:2W€4.2W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3
输入电容:4700pF@40V
功率:5.2W€83.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
漏源电压:80V
类型:P沟道
栅极电荷:160nC@10V
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4948BEY-T1-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3.1A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7489DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
功率:5.2W€83W
类型:P沟道
栅极电荷:160nC@10V
导通电阻:41mΩ@7.8A,10V
输入电容:4600pF@50V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:1.5W
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:8.7A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4816BDY-T1-GE3
功率:1W€1.25W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:18.5mΩ@6.8A,10V
类型:2个N通道(半桥)
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.8A€8.2A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-BE3
功率:2W€3.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
连续漏极电流:2.2A€2.9A
输入电容:350pF@30V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P08-25L-E3
输入电容:4700pF@40V
包装方式:卷带(TR)
功率:8.3W€136W
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:25.2mΩ@12.5A,10V
栅极电荷:160nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
漏源电压:60V
类型:P沟道
连续漏极电流:4.7A
输入电容:600pF@30V
导通电阻:120mΩ@3.2A,10V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
输入电容:600pF@30V
功率:3.2W€19.8W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
输入电容:600pF@30V
功率:3.2W€19.8W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3417DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1350pF@15V
栅极电荷:50nC@10V
导通电阻:25.2mΩ@7.3A,10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
功率:2W€4.2W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610K-T1-E3
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.7nC@15V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:185mA
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463DP-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:11A
栅极电荷:140nC@10V
导通电阻:9.2mΩ@18.6A,10V
类型:P沟道
功率:1.9W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7414DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:25nC@10V
连续漏极电流:5.6A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:25mΩ@8.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:6.2A
功率:1.8W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4948BEY-T1-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3.1A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4599DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:3W€3.1W
输入电容:640pF@20V
类型:N和P沟道
导通电阻:35.5mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.8A€5.8A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1302DL-T1-GE3
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:280mW
导通电阻:480mΩ@600mA,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
输入电容:2866pF@50V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7421DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:40nC@10V
导通电阻:25mΩ@9.8A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:6.4A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3421DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:19.2mΩ@7A,10V
输入电容:2580pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
栅极电荷:69nC@10V
功率:2W€4.2W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: