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    品牌: VISHAY
    ECCN: EAR99
    阈值电压: 3V@250µA
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:1500+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-BE3

    功率:2W€3.3W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    栅极电荷:12nC@10V

    导通电阻:216mΩ@2.2A,10V

    连续漏极电流:2.2A€2.9A

    输入电容:350pF@30V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343DS-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.1A

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    栅极电荷:21nC@10V

    类型:P沟道

    输入电容:540pF@15V

    功率:750mW

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:4.7A

    输入电容:600pF@30V

    导通电阻:120mΩ@3.2A,10V

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3

    功率:2W€3.3W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:3V

    导通电阻:216mΩ

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:350pF@30V

    类型:P-Channel

    连续漏极电流:2.2A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.1W

    输入电容:1945pF@10V

    工作温度:-50℃~150℃

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    漏源电压:30V

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8nC@10V

    输入电容:155pF@15V

    功率:1W€2.3W

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435DDY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435DDY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1350pF@15V

    栅极电荷:50nC@10V

    连续漏极电流:11.4A

    导通电阻:24mΩ@9.1A,10V

    类型:P沟道

    功率:2.5W€5W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    连续漏极电流:3.2A

    栅极电荷:40nC@10V

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3

    导通电阻:34mΩ@6.1A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:33nC@10V

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    功率:2W€4.2W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3

    输入电容:4700pF@40V

    功率:5.2W€83.3W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:28A

    漏源电压:80V

    类型:P沟道

    栅极电荷:160nC@10V

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4948BEY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4948BEY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4948BEY-T1-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:120mΩ@3.1A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:28A

    功率:5.2W€83W

    类型:P沟道

    栅极电荷:160nC@10V

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    输入电容:4600pF@50V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    功率:1.5W

    导通电阻:14mΩ@10.5A,10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:8.7A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4816BDY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4816BDY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4816BDY-T1-GE3

    功率:1W€1.25W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:18.5mΩ@6.8A,10V

    类型:2个N通道(半桥)

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:5.8A€8.2A

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-BE3

    功率:2W€3.3W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    栅极电荷:12nC@10V

    导通电阻:216mΩ@2.2A,10V

    连续漏极电流:2.2A€2.9A

    输入电容:350pF@30V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P08-25L-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P08-25L-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P08-25L-E3

    输入电容:4700pF@40V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:8.3W€136W

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:25.2mΩ@12.5A,10V

    栅极电荷:160nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:4.7A

    输入电容:600pF@30V

    导通电阻:120mΩ@3.2A,10V

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7309DN-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    导通电阻:115mΩ@3.9A,10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    输入电容:600pF@30V

    功率:3.2W€19.8W

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7309DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    导通电阻:115mΩ@3.9A,10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    输入电容:600pF@30V

    功率:3.2W€19.8W

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3417DV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3417DV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3417DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1350pF@15V

    栅极电荷:50nC@10V

    导通电阻:25.2mΩ@7.3A,10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    功率:2W€4.2W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP0610K-T1-E3

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:1.7nC@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:185mA

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463DP-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:11A

    栅极电荷:140nC@10V

    导通电阻:9.2mΩ@18.6A,10V

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:5.6A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:6.2A

    功率:1.8W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4948BEY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4948BEY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4948BEY-T1-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:120mΩ@3.1A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4599DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4599DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4599DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    功率:3W€3.1W

    输入电容:640pF@20V

    类型:N和P沟道

    导通电阻:35.5mΩ@5A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:6.8A€5.8A

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1302DL-T1-GE3

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:280mW

    导通电阻:480mΩ@600mA,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:80nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    输入电容:2866pF@50V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7421DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:40nC@10V

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:6.4A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3421DV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3421DV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3421DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:19.2mΩ@7A,10V

    输入电容:2580pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    栅极电荷:69nC@10V

    功率:2W€4.2W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

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