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    品牌: VISHAY
    ECCN: EAR99
    阈值电压: 1V@250µA
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:1000+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:735pF@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    漏源电压:20V

    功率:960mW€1.7W

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3

    输入电容:2970pF@6V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:14mΩ@7A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:87nC@8V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:5W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    输入电容:2000pF@6V

    漏源电压:12V

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DDS-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DDS-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1275pF@6V

    连续漏极电流:5A€6A

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    栅极电荷:35nC@8V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:1.2W€1.7W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.1A

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:860mW€1.6W

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:57nC@8V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1975pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V

    功率:3.6W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6926ADQ-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.1A

    导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:1.25W€2.5W

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1225pF@6V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3429EDV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3429EDV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3429EDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:8A€8A

    输入电容:4085pF@50V

    导通电阻:21mΩ@4A,4.5V

    栅极电荷:118nC@10V

    类型:P沟道

    功率:4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:6900pF@10V

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    连续漏极电流:7.7A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4465ADY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4465ADY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4465ADY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:9mΩ@14A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:13.7A€20A

    功率:3W€6.5W

    栅极电荷:85nC@4.5V

    漏源电压:8V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5517DU-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5517DU-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5517DU-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W

    类型:N和P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.4A,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:520pF@10V

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1967DH-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:490mΩ@910mA,4.5V

    类型:2个P沟道(双)

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:45nC@8V

    输入电容:1300pF@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:5.2A€6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:750mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:17nC@8V

    功率:500mW

    连续漏极电流:2.3A

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:17nC@8V

    功率:500mW

    连续漏极电流:2.3A

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.7A€8A

    栅极电荷:24nC@8V

    输入电容:860pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3

    导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:1.25W€2.5W

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1090pF@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:615pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    栅极电荷:19nC@8V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:76mΩ@1A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:735pF@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    漏源电压:20V

    功率:960mW€1.7W

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460DDV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460DDV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460DDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:28mΩ@5.1A,4.5V

    功率:1.7W€2.7W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:7.9A

    栅极电荷:18nC@8V

    输入电容:666pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJT-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJT-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJT-T1-GE3

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@6V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:19W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:13mΩ@5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    类型:N沟道

    栅极电荷:24nC@8V

    连续漏极电流:8A

    输入电容:860pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:6900pF@10V

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    连续漏极电流:7.7A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3429EDV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3429EDV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3429EDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:8A€8A

    输入电容:4085pF@50V

    导通电阻:21mΩ@4A,4.5V

    栅极电荷:118nC@10V

    类型:P沟道

    功率:4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    输入电容:120pF@6V

    类型:2个P沟道(双)

    漏源电压:12V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2336DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2336DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2336DS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    输入电容:560pF@15V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:1.25W€1.8W

    栅极电荷:15nC@8V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:42mΩ@3.8A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA533EDJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA533EDJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA533EDJ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:34mΩ@4.6A,4.5V

    类型:N和P沟道

    漏源电压:12V

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:420pF@6V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    功率:7.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:735pF@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    漏源电压:20V

    功率:960mW€1.7W

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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