品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:35W
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类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
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规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
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规格型号(MPN):SIHP080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
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功率:35W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
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类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
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功率:35W
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类型:N沟道
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连续漏极电流:14A
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导通电阻:80mΩ@17A,10V
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功率:227W
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栅极电荷:63nC@10V
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输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
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栅极电荷:63nC@10V
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输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
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