品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1050X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:236mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:585pF@4V
连续漏极电流:1.34A
类型:N沟道
导通电阻:86mΩ@1.34A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8810EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:245pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8808DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@15V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8808DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@15V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8810EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:245pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8808DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@15V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8810EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:245pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8808DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@15V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8810EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:245pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8810EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:245pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8808DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@15V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8810EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:245pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: