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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1539EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7634BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4483ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€5.9W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：19.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ1539EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ1539EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
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输入电容：48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
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栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ1539EH-T1_GE3
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功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
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栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：SQ1539EH-T1_GE3
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功率：1.5W
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输入电容：48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4483ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€5.9W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：19.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
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功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
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栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
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栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4483ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€5.9W
阈值电压：2.6V@250µA
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栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：19.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ1539EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
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输入电容：48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7634BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1539EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
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栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4483ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€5.9W
阈值电压：2.6V@250µA
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栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：19.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ1539EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1539EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1539EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1539EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4483ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€5.9W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：19.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4483ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€5.9W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：19.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7634BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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