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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8466EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8466EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
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栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
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功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
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功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：710pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
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规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
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功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
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连续漏极电流：3A
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连续漏极电流：3A
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导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
连续漏极电流：3.6A
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
输入电容：710pF@4V
导通电阻：43mΩ@2A，4.5V
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功率：500mW
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栅极电荷：6.5nC@4.5V
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连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
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规格型号(MPN)：SI8466EDB-T2-E1
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功率：780mW€1.8W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
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栅极电荷：13nC@4.5V
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输入电容：710pF@4V
连续漏极电流：3.6A
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栅极电荷：13nC@4.5V
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输入电容：710pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
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行业应用：工业,汽车
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功率：780mW€1.8W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
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输入电容：710pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8466EDB-T2-E1
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功率：780mW€1.8W
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输入电容：710pF@4V
连续漏极电流：3.6A
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连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
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连续漏极电流：3.6A
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ECCN：EAR99
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输入电容：710pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
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包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
连续漏极电流：3.6A
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
输入电容：710pF@4V
导通电阻：43mΩ@2A，4.5V
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