品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@20V
连续漏极电流:3.2A€4.3A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@3.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:3.1A€3.6A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@20V
连续漏极电流:3.2A€4.3A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@3.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:97nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8130pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.5A€1.4A
类型:N沟道
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@20V
连续漏极电流:3.2A€4.3A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@3.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.5A€1.4A
类型:N沟道
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR178DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W€104W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12430pF@10V
连续漏极电流:100A€430A
类型:N沟道
导通电阻:0.4mΩ@30A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@20V
连续漏极电流:3.2A€4.3A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@3.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:3.1A€3.6A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@20V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@3.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.5A€1.4A
类型:N沟道
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR178DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W€104W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12430pF@10V
连续漏极电流:100A€430A
类型:N沟道
导通电阻:0.4mΩ@30A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@20V
连续漏极电流:3.2A€4.3A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@3.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: