品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ188DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:3.85mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ188DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:3.85mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ188DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:3.85mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ188DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:3.85mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR188DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@30V
连续漏极电流:25.5A€60A
类型:N沟道
导通电阻:3.85mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR180DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83.3W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4030pF@30V
连续漏极电流:32.4A€60A
类型:N沟道
导通电阻:2.05mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR180DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83.3W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4030pF@30V
连续漏极电流:32.4A€60A
类型:N沟道
导通电阻:2.05mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR188DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@30V
连续漏极电流:25.5A€60A
类型:N沟道
导通电阻:3.85mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR188DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@30V
连续漏极电流:25.5A€60A
类型:N沟道
导通电阻:3.85mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: