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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7115DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：8.9A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7115DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：8.9A
类型：P沟道
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漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7115DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：8.9A
类型：P沟道
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功率：52W
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规格型号(MPN)：SI7115DN-T1-GE3
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连续漏极电流：8.9A
类型：P沟道
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功率：3.7W€52W
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类型：P沟道
功率：52W
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输入电容：1190pF@50V
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导通电阻：295mΩ@4A，10V
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