品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:125V
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:1410pF@75V
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFI9634GPBF
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:4.1A
漏源电压:250V
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:5.7W
类型:P沟道
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF9530SPBF
输入电容:860pF@25V
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
栅极电荷:38nC@10V
连续漏极电流:12A
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-E3
输入电容:1580pF@15V
导通电阻:11mΩ@12A,10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:8.9A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:970pF@20V
导通电阻:45mΩ@5A,10V
栅极电荷:38nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
功率:4.2W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-GE3
输入电容:1580pF@15V
导通电阻:11mΩ@12A,10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:8.9A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBE20PBF
导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:1.8A
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:125V
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:1410pF@75V
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF840ASTRRPBF
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1018pF@25V
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
功率:125W
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBF20SPBF
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
输入电容:490pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:3.1W€54W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF840ASTRRPBF
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1018pF@25V
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
功率:125W
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBG20PBF-BE3
输入电容:500pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@840mA,10V
漏源电压:1000V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
功率:54W
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:125V
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:1410pF@75V
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:125V
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:1410pF@75V
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR610DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:31.9mΩ@10A,10V
输入电容:1380pF@100V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:35.4A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF830PBF-BE3
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
阈值电压:4V@250µA
功率:74W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBE20PBF
导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:1.8A
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF840ASTRRPBF
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1018pF@25V
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
功率:125W
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF830SPBF
漏源电压:500V
功率:3.1W€74W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI830GPBF
漏源电压:500V
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
导通电阻:1.5Ω@1.9A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR576DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@75V
连续漏极电流:11.1A€42.4A
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:16mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF830PBF
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
阈值电压:4V@250µA
功率:74W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF9530PBF
输入电容:860pF@25V
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
栅极电荷:38nC@10V
连续漏极电流:12A
阈值电压:4V@250μA
功率:88W
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:125V
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:1410pF@75V
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840ALPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1018pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI730GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBG20PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@840mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR610DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@100V
连续漏极电流:35.4A
类型:N沟道
导通电阻:31.9mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: