品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
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功率:4.8W€41.7W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:30A
类型:N沟道
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漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
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功率:4.8W€41.7W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
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功率:69.4W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
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功率:4.8W€41.7W
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
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栅极电荷:31nC@10V
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连续漏极电流:36.8A
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导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
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功率:69.4W
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输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
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规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
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栅极电荷:31nC@10V
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输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
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栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
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栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:31nC@10V
功率:4.8W€41.7W
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ECCN:EAR99
输入电容:1160pF@20V
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
连续漏极电流:36.8A
功率:69.4W
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1070pF@75V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
连续漏极电流:36.8A
功率:69.4W
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1070pF@75V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:31nC@10V
功率:4.8W€41.7W
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1160pF@20V
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
连续漏极电流:36.8A
功率:69.4W
栅极电荷:31nC@10V
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: