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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4090DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@50V
连续漏极电流：19.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4090DY-T1-GE3
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阈值电压：3.3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@50V
连续漏极电流：19.7A
类型：N沟道
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漏源电压：100V
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连续漏极电流：19.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：19.7A
类型：N沟道
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漏源电压：100V
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栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@50V
连续漏极电流：19.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：19.7A
类型：N沟道
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漏源电压：100V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
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栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
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栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@50V
连续漏极电流：19.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：2580pF@15V
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：19.7A
类型：N沟道
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功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
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