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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG21N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2030pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：176mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA01DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：22.4A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA01DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：22.4A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG21N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2030pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：176mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA01DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：22.4A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：20.5A€27.8A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA01DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：22.4A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
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功率：6.25W€104W
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栅极电荷：84nC@10V
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输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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阈值电压：2.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：22.4A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：84nC@10V
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输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG21N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2030pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：176mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
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输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA01DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：22.4A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：20.5A€27.8A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA01DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：22.4A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：20.5A€27.8A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：20.5A€27.8A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA01DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：22.4A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：20.5A€27.8A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：20.5A€27.8A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：20.5A€27.8A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：20.5A€27.8A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB21N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2030pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：176mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
